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EBAC(Electron Beam Absorbed Current)
RCI(Resistive Contrast Imaging)
芯片工艺进入 55 纳米/65 纳米技术节点后,EBAC 技术被引入并得到迅速发展。现如今,EBAC、RCI已成为芯片失效分析(failure analysis, FA)的主要工具之一,用于IC线路的短路,断路,高阻缺陷的隔离和精确定位。
原理:
为了探测芯片的特定电路区域,EBAC 系统配备了纳米探针和扫描电子显微镜 (SEM)。当电子束(primary electron beam)穿透样品表面时,电子流可通过金属探针所吸收,经放大器放大,并通过SEM形成 EBAC 图像。
电子流的穿透深度取决于扫描电镜的加速电压(acceleration voltage)和样品的材料特性。电子束吸收电流流入金属/通孔(Metal/Via)结构,然后由探头测量。如果金属/通孔链断裂或打开,则可通过叠加在SEM图像上的EBAC图像的突然变化来精确定位定位。
对于某些高电阻结构(部分于通孔连接),单个探针无法定位此类缺陷。因此,在 EBAC 技术中需要两个探头,即电阻对比成像(Resistive contrast imaging,RCI)。
结果: